- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Põhiplaadi kahjustuste levinumad põhjused
2022-04-26
1 Protsessori kahjustuste põhjuste analüüs
Tuumplaadi pardaprotsessori kahjustused on probleem, millele tuleb tähelepanu pöörata tuumaplaadi teisese arendamise käigus. See hõlmab peamiselt (kuid mitte ainult) järgmisi olukordi:
(1) Välisseadmete või väliste moodulite kuumvahetus sisselülitatud toite korral, mis kahjustab põhiplaadi sisemist protsessorit.
(2) Kui kasutate silumisprotsessi ajal metallesemeid, mõjutab IO-d valepuute tõttu elektriline pinge, mis võib kahjustada IO-d, või mõne plaadi komponendi puudutamine põhjustab kohese maanduse lühise, mis põhjustab seotud vooluringid ja südamikuplaadid. Kahjustatud protsessor.
(3) Puudutage silumisprotsessi ajal oma sõrmi kiibi patju või tihvte ja inimkeha staatiline elekter võib kahjustada südamiku pardal olevat protsessorit.
(4) Isetehtud põrandaliistu konstruktsioonis on ebamõistlikke kohti, nagu nivoo mittevastavus, liigne koormusvool, üle- või alakõrvetus jne, mis võivad kahjustada südamiku pardaprotsessorit.
(5) Silumisprotsessi ajal toimub välisliidese juhtmestiku silumine. Juhtmed on vale või juhtmestiku teine ots on õhus, kui see puudutab teisi juhtivaid materjale, ja IO juhtmestik on vale. Seda kahjustab elektriline pinge, mille tulemuseks on südamiku pardal oleva protsessori kahjustus.
2 Protsessori IO kahjustuste põhjuste analüüs
(1) Pärast protsessori IO lühistamist üle 5 V toiteallikaga kuumeneb protsessor ebatavaliselt ja on kahjustatud.
(2) Tehke protsessori IO-l ±8KV kontakti tühjenemine ja protsessor saab koheselt kahjustatud.
Tuumplaadi pardaprotsessori kahjustused on probleem, millele tuleb tähelepanu pöörata tuumaplaadi teisese arendamise käigus. See hõlmab peamiselt (kuid mitte ainult) järgmisi olukordi:
(1) Välisseadmete või väliste moodulite kuumvahetus sisselülitatud toite korral, mis kahjustab põhiplaadi sisemist protsessorit.
(2) Kui kasutate silumisprotsessi ajal metallesemeid, mõjutab IO-d valepuute tõttu elektriline pinge, mis võib kahjustada IO-d, või mõne plaadi komponendi puudutamine põhjustab kohese maanduse lühise, mis põhjustab seotud vooluringid ja südamikuplaadid. Kahjustatud protsessor.
(3) Puudutage silumisprotsessi ajal oma sõrmi kiibi patju või tihvte ja inimkeha staatiline elekter võib kahjustada südamiku pardal olevat protsessorit.
(4) Isetehtud põrandaliistu konstruktsioonis on ebamõistlikke kohti, nagu nivoo mittevastavus, liigne koormusvool, üle- või alakõrvetus jne, mis võivad kahjustada südamiku pardaprotsessorit.
(5) Silumisprotsessi ajal toimub välisliidese juhtmestiku silumine. Juhtmed on vale või juhtmestiku teine ots on õhus, kui see puudutab teisi juhtivaid materjale, ja IO juhtmestik on vale. Seda kahjustab elektriline pinge, mille tulemuseks on südamiku pardal oleva protsessori kahjustus.
2 Protsessori IO kahjustuste põhjuste analüüs
(1) Pärast protsessori IO lühistamist üle 5 V toiteallikaga kuumeneb protsessor ebatavaliselt ja on kahjustatud.
(2) Tehke protsessori IO-l ±8KV kontakti tühjenemine ja protsessor saab koheselt kahjustatud.
Kasutage multimeetri sisse- ja väljalülitusseadet, et mõõta protsessori porte, mis olid 5 V toiteallika tõttu lühistatud ja ESD tõttu kahjustatud. Leiti, et IO oli lühises protsessori GND-ga ja IO-ga seotud toitedomeen oli samuti lühises GND-ga.
Eelmine:Südamiku kujundus
